反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):3070pF,输出电容(Coss):280pF,连续漏极电流(Id):80A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@100uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 输入电容(Ciss) | 3070pF | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0044/个 |
| 50+ | ¥1.502/个 |
| 150+ | ¥1.276/个 |
| 500+ | ¥1.0416/个 |
| 2000+ | ¥0.988/个 |
| 5000+ | ¥0.955/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.38184
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉6.008元