导通电阻(RDS(on)):68mΩ@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):42V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.56W,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@1.2mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 42V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1.2mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.94/个 |
| 10+ | ¥5.67/个 |
| 30+ | ¥5.03/个 |
| 100+ | ¥4.4/个 |
| 500+ | ¥4.02/个 |
| 1000+ | ¥3.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.5144
1000 PCS/盘
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