反向传输电容(Crss):230pF,导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):1900pF,输出电容(Coss):450pF,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 1900pF | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.89/个 |
| 10+ | ¥5.77/个 |
| 25+ | ¥4.43/个 |
| 100+ | ¥3.74/个 |
| 400+ | ¥3.43/个 |
| 800+ | ¥3.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.0756
25 PCS/盘
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