反向传输电容(Crss):603pF,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):234nC,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):4057pF,输出电容(Coss):4057pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 603pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 234nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 4057pF | |
| 输出电容(Coss) | 4057pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.2/个 |
| 10+ | ¥5.31/个 |
| 25+ | ¥4.19/个 |
| 100+ | ¥3.67/个 |
| 350+ | ¥3.5/个 |
| 1050+ | ¥3.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.8548
25 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉8.38元