反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):0.3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):400V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):2600pF,输出电容(Coss):660pF,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 250pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.3Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 190W | |
输入电容(Ciss) | 2600pF | |
输出电容(Coss) | 660pF | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥13.75/个 |
10+ | ¥11.52/个 |
25+ | ¥10.12/个 |
100+ | ¥8.7/个 |
500+ | ¥8.05/个 |
1000+ | ¥7.77/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.3104
25 PCS/盘
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