反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):104mΩ@10V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):15.5nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):28W,输入电容(Ciss):690pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 90pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@10V,3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 15.5nC | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 28W | |
输入电容(Ciss) | 690pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |