反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):179nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):6359pF,输出电容(Coss):613pF,连续漏极电流(Id):171A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 输入电容(Ciss) | 6359pF | |
| 输出电容(Coss) | 613pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 171A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥220.61/个 |
| 3+ | ¥220.61/个 |
| 5+ | ¥220.61/个 |
| 30+ | ¥210.53/个 |
| 32+ | ¥210.53/个 |
| 34+ | ¥210.53/个 |
整盘
单价
整盘单价¥193.6876
240 PCS/盘
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