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IMBG120R026M2HXTMA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMBG120R026M2HXTMA1
- 商品编号
- C27227247
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7.4pF,导通电阻(RDS(on)):25.4mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):60nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):335W,输入电容(Ciss):1990pF,输出电容(Coss):85pF,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):5.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.4mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 335W | |
| 输入电容(Ciss) | 1990pF | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
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