反向传输电容(Crss):1.1pF,导通电阻(RDS(on)):18Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.41nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):4.17W,输入电容(Ciss):132pF,输出电容(Coss):12.6pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 18Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.41nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 4.17W | |
输入电容(Ciss) | 132pF | |
输出电容(Coss) | 12.6pF | |
连续漏极电流(Id) | 1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.561/个 |
50+ | ¥0.444/个 |
150+ | ¥0.386/个 |
500+ | ¥0.343/个 |
2000+ | ¥0.308/个 |
4000+ | ¥0.29/个 |
10000+ | ¥0.287/个 |
20000+ | ¥0.284/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.28336
2000 PCS/盘
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