反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):58W,输出电容(Coss):136pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 12pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 58W | |
输出电容(Coss) | 136pF | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.23/个 |
10+ | ¥2.51/个 |
50+ | ¥2.2/个 |
100+ | ¥1.82/个 |
500+ | ¥1.65/个 |
1000+ | ¥1.55/个 |
2000+ | ¥1.53/个 |
4000+ | ¥1.51/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.024
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