反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):75nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):1660pF,连续漏极电流(Id):10A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 25pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
输入电容(Ciss) | 1660pF | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥3.68/个 |
10+ | ¥2.97/个 |
50+ | ¥2.62/个 |
100+ | ¥2.26/个 |
500+ | ¥2.05/个 |
1000+ | ¥1.95/个 |
2500+ | ¥1.92/个 |
3750+ | ¥1.91/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.4104
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉10.48元