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ASDM4606S-R
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM4606S-R
- 商品编号
- C2758241
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000177千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):648pF,输出电容(Coss):108pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 648pF | |
| 输出电容(Coss) | 108pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 100+ | ¥0.399/个 |
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| 1000+ | ¥0.316/个 |
| 4000+ | ¥0.241/个 |
| 8000+ | ¥0.227/个 |
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