射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):3MHz,直流电流增益(hFE):25@1A,4V,耗散功率(Pd):1.25W,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.2V@3A,0.375A,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 3MHz | |
直流电流增益(hFE) | 25@1A,4V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V@3A,0.375A | |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.33/个 |
50+ | ¥1.0583/个 |
150+ | ¥0.942/个 |
500+ | ¥0.796/个 |
2500+ | ¥0.731/个 |
5000+ | ¥0.692/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.67252
2500 PCS/盘
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