射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):-,直流电流增益(hFE):200@0.5A,2V,耗散功率(Pd):1W,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.27V@1.6A,53mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | - | |
直流电流增益(hFE) | 200@0.5A,2V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.27V@1.6A,53mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 5A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0306/个 |
50+ | ¥1.582/个 |
150+ | ¥1.39/个 |
500+ | ¥1.15/个 |
3000+ | ¥1.0431/个 |
6000+ | ¥0.979/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.95965
3000 PCS/盘
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