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OSG65R580DEF
扩展库- 品牌名称
- ORIENTAL SEMI(东微)
- 厂家型号
- OSG65R580DEF
- 商品编号
- C2762905
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.0006千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):1.8pF@50V,导通电阻(RDS(on)):0.58Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):12.4nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):63W,输入电容(Ciss):587pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.58Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 输入电容(Ciss) | 587pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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