反向传输电容(Crss):74.69pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.11nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):522.3pF,输出电容(Coss):98.48pF,连续漏极电流(Id):9A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 74.69pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.11nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 522.3pF | |
输出电容(Coss) | 98.48pF | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
配置 | 共漏 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.228/个 |
100+ | ¥0.18/个 |
300+ | ¥0.155/个 |
3000+ | ¥0.124/个 |
6000+ | ¥0.109/个 |
9000+ | ¥0.102/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.117
3000 PCS/盘
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