反向传输电容(Crss):74.69pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.11nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):522.3pF@8V,连续漏极电流(Id):9A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 74.69pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 522.3pF@8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 配置 | 共漏 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.232/个 |
| 100+ | ¥0.185/个 |
| 300+ | ¥0.161/个 |
| 3000+ | ¥0.129/个 |
| 6000+ | ¥0.115/个 |
| 9000+ | ¥0.108/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11868
3000 PCS/盘
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