写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):4ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:110uA,接口类型:SPI,擦写寿命:60000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):104MHz,页写入时间(Tpp):800us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 4ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 110uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 60000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 800us |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥63.21/个 |
| 480+ | ¥53.68/个 |
| 1440+ | ¥47.87/个 |
| 4800+ | ¥43/个 |
| 4896+ | ¥43/个 |
| 4992+ | ¥43/个 |
整盘
单价
整盘单价¥49.3856
480 PCS/盘
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