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HSK12N02
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSK12N02
- 商品编号
- C28314509
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.000155千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):1200pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 50+ | ¥0.543/个 |
| 150+ | ¥0.471/个 |
| 500+ | ¥0.417/个 |
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