导通电阻(RDS(on)):0.008Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):3850pF@25V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.008Ω@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 3850pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥22.5/个 |
| 10+ | ¥19.16/个 |
| 50+ | ¥17.18/个 |
| 100+ | ¥15.17/个 |
| 500+ | ¥14.25/个 |
| 1000+ | ¥13.83/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.8056
50 PCS/盘
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