静电放电（ESD）、瞬态电压抑制器（TVS）、晶闸管浪涌抑制器（TSS）、金属氧化物压敏电阻（MOV）、气体放电管（GDT）、聚合物静电放电二极管（PLED）实物图

静电放电（ESD）、瞬态电压抑制器（TVS）、晶闸管浪涌抑制器（TSS）、金属氧化物压敏电阻（MOV）、气体放电管（GDT）、聚合物静电放电二极管（PLED）缩略图

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静电放电（ESD）、瞬态电压抑制器（TVS）、晶闸管浪涌抑制器（TSS）、金属氧化物压敏电阻（MOV）、气体放电管（GDT）、聚合物静电放电二极管（PLED）

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品牌名称: MSKSEMI(美森科)
厂家型号: TPD4E05U06DQAR-MS
商品编号: C2836386
商品封装: DFN2510-10
商品毛重: 0.00003千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

Cj-结电容:0.8pF,Cj-结电容:0.3pF,击穿电压:6V,击穿电压(VBR):6V,反向截止电压(Vrwm):3.3V,反向截止电压(Vrwm):3.3V,反向电流(Ir):1uA,峰值脉冲功率(Ppp):150W,峰值脉冲功率(Ppp)@8/20us:150W,峰值脉冲电流(Ipp):5A,峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us:5A,类型:ESD,结电容(Cj)@1MHz:0.3pF,通道数:四路,钳位电压:15V,钳位电压(Vc)@Ipp:15V,防护等级:IEC 61000-4-2,防护等级:IEC 61000-4-5,防护等级:IEC 61000-4-4

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属性	参数值	其他
商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
Cj-结电容	0.8pF
Cj-结电容	0.3pF
击穿电压	6V
击穿电压(VBR)	6V
反向截止电压(Vrwm)	3.3V
反向截止电压(Vrwm)	3.3V
反向电流(Ir)	1uA
峰值脉冲功率(Ppp)	150W
峰值脉冲功率(Ppp)@8/20us	150W
峰值脉冲电流(Ipp)	5A
峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us	5A
类型	ESD
结电容(Cj)@1MHz	0.3pF
通道数	四路
钳位电压	15V
钳位电压(Vc)@Ipp	15V
防护等级	IEC 61000-4-2
防护等级	IEC 61000-4-5
防护等级	IEC 61000-4-4