反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,技术路线:E-mode,数量:-,栅极电荷量(Qg):20nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):640pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):37A,阈值电压(Vgs(th)):5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |