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TLC372QDR
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- TLC372QDR
- 商品编号
- C2865056
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000175千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
传播延迟(tpd):200ns,共模抑制比(CMRR):-,单电源:2V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):2V~18V,双电源(Vee ~ Vcc):-18V~-2V,工作温度:-40℃~+125℃,比较器数:-,比较器数:双路,滞后电压(Vhys):-,输入偏置电流(Ib):5pA,输入失调电压(Vos):1.5mV,输入失调电流(Ios):1pA,输出模式:MOS,输出模式:CMOS,输出模式:TTL,输出类型:开漏,输出类型:开集,输出类型:DTL,输出类型:TTL,输出类型:ECL,输出类型:MOS,输出类型:开漏,输出类型:MOS,输出类型:TTL,静态电流(Iq):150uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 200ns | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 单电源 | 2V~18V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 2V~18V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -18V~-2V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 比较器数 | - | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 1.5mV | |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA | |
| 输出模式 | MOS | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出模式 | TTL | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 输出类型 | 开集 | |
| 输出类型 | DTL | |
| 输出类型 | TTL | |
| 输出类型 | ECL | |
| 输出类型 | MOS | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 输出类型 | MOS | |
| 输出类型 | TTL | |
| 静态电流(Iq) | 150uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.03/个 |
| 10+ | ¥4.91/个 |
| 30+ | ¥4.82/个 |
| 100+ | ¥4.73/个 |
| 102+ | ¥4.73/个 |
| 104+ | ¥4.73/个 |
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单价
整盘单价¥4.729
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