传播延迟(tpd):55us,共模抑制比(CMRR):76dB,单电源:2.5V~16V,双电源(Vee ~ Vcc):1.25V~8V,双电源(Vee ~ Vcc):-8V~-1.25V,响应时间(tr):5us,工作温度:0℃~+70℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):16V,比较器数:-,比较器数:四路,滞后电压(Vhys):-,轨到轨:轨到轨输入,输入偏置电流(Ib):80pA,输入失调电压(Vos):250uV,输入失调电压温漂(Vos TC):3uV/℃,输入失调电流(Ios):20pA,输出模式:CMOS,输出类型:CMOS,输出类型:TTL,输出类型:推挽,输出类型:开漏,静态电流(Iq):470nA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 传播延迟(tpd) | 55us | |
| 共模抑制比(CMRR) | 76dB | |
| 单电源 | 2.5V~16V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 1.25V~8V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -8V~-1.25V | |
| 响应时间(tr) | 5us | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 16V | |
| 比较器数 | - | |
| 比较器数 | 四路 | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入 | |
| 输入偏置电流(Ib) | 80pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 250uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 3uV/℃ | |
| 输入失调电流(Ios) | 20pA | |
| 输出模式 | CMOS | |
| 输出类型 | CMOS | |
| 输出类型 | TTL | |
| 输出类型 | 推挽 | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 静态电流(Iq) | 470nA |