上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):7ns,传播延迟 tpHL:20ns,传播延迟 tpLH:20ns,工作温度:-40℃~+140℃,工作电压:8V~17V,拉电流(IOH):3A,灌电流(IOL):3A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V~1.6V,输入高电平(VIH):1.7V~2.5V,静态电流(Iq):0.4mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥,驱动配置:全桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 8ns | |
下降时间(tf) | 7ns | |
传播延迟 tpHL | 20ns | |
传播延迟 tpLH | 20ns | |
工作温度 | -40℃~+140℃ | |
工作电压 | 8V~17V | |
拉电流(IOH) | 3A | |
灌电流(IOL) | 3A | |
特性 | 欠压保护(UVP) | |
负载类型 | MOSFET | |
输入低电平(VIL) | 0.8V~1.6V | |
输入高电平(VIH) | 1.7V~2.5V | |
静态电流(Iq) | 0.4mA | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 | |
驱动配置 | 全桥 |