块擦除时间(tBE):4ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:50uA,擦写寿命:60000次,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):320us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 4ms | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 60000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 320us |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.752/个 |
| 10+ | ¥8.0172/个 |
| 30+ | ¥7.562/个 |
| 100+ | ¥7.0924/个 |
| 500+ | ¥6.882/个 |
| 1500+ | ¥6.786/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.786
1500 PCS/盘