块擦除时间(tBE):4ms,存储容量:4Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:50uA,擦写寿命:60000次,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):320us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 4ms | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 60000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 320us |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥26.28/个 |
| 10+ | ¥22.27/个 |
| 30+ | ¥19.89/个 |
| 100+ | ¥17.48/个 |
| 500+ | ¥16.37/个 |
| 960+ | ¥15.87/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.86
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