导通电阻(RDS(on)):6.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):61nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,耗散功率(Pd):90W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
耗散功率(Pd) | 90W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.36/个 |
50+ | ¥1.865/个 |
150+ | ¥1.653/个 |
500+ | ¥1.239/个 |
2500+ | ¥1.121/个 |
5000+ | ¥1.0503/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0405
2500 PCS/盘
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