射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):82@500mA,3V,耗散功率(Pd):1.5W,集射极击穿电压(Vceo):32V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.8V@2A,200mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):2A
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 82@500mA,3V | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.8V@2A,200mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 2A |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.895/个 |
50+ | ¥0.713/个 |
150+ | ¥0.622/个 |
500+ | ¥0.554/个 |
2500+ | ¥0.447/个 |
5000+ | ¥0.42/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.41124
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉89.4元