反向传输电容(Crss):203pF,导通电阻(RDS(on)):5.9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):227nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):517W,输入电容(Ciss):10470pF,输出电容(Coss):977pF,连续漏极电流(Id):171A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 203pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 227nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 517W | |
输入电容(Ciss) | 10470pF | |
输出电容(Coss) | 977pF | |
连续漏极电流(Id) | 171A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥16.18/个 |
10+ | ¥13.82/个 |
25+ | ¥11.08/个 |
100+ | ¥9.56/个 |
500+ | ¥8.88/个 |
1000+ | ¥8.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.1936
25 PCS/盘
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