反向传输电容(Crss):180pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1040pF,连续漏极电流(Id):9.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1040pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.851/个 |
| 50+ | ¥1.482/个 |
| 150+ | ¥1.323/个 |
| 500+ | ¥1.126/个 |
| 3000+ | ¥0.969/个 |
| 6000+ | ¥0.916/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.89148
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉232.56元