上升时间(tr):100ns,下降时间(tf):50ns,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:8V~20V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 100ns | |
下降时间(tf) | 50ns | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
工作电压 | 8V~20V | |
拉电流(IOH) | - | |
灌电流(IOL) | - | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.932/个 |
50+ | ¥0.73/个 |
150+ | ¥0.644/个 |
500+ | ¥0.501/个 |
2500+ | ¥0.453/个 |
4000+ | ¥0.424/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.424
4000 PCS/盘