上升时间(tr):600ns,下降时间(tf):190ns,传播延迟 tpHL:280ns,传播延迟 tpLH:600ns,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:7V~20V,拉电流(IOH):1.2A,灌电流(IOL):1A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 600ns | |
下降时间(tf) | 190ns | |
传播延迟 tpHL | 280ns | |
传播延迟 tpLH | 600ns | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
工作电压 | 7V~20V | |
拉电流(IOH) | 1.2A | |
灌电流(IOL) | 1A | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |