反向传输电容(Crss):84pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):190nC@10V,漏源电压(Vdss):1000V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):2800pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):6.1A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1000V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 输入电容(Ciss) | 2800pF | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥15.43/个 |
| 10+ | ¥12.98/个 |
| 30+ | ¥11.44/个 |
| 100+ | ¥8.883/个 |
| 500+ | ¥8.244/个 |
| 1000+ | ¥7.965/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.9416
25 PCS/盘
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