导通电阻(RDS(on)):700mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.18W,连续漏极电流(Id):0.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@1.8V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.18W | |
连续漏极电流(Id) | 0.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.267/个 |
100+ | ¥0.211/个 |
300+ | ¥0.184/个 |
3000+ | ¥0.156/个 |
6000+ | ¥0.139/个 |
9000+ | ¥0.131/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.14352
3000 PCS/盘
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