上升时间(tr):100ns,下降时间(tf):50ns,工作温度:-,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):130mA,灌电流(IOL):270mA,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 100ns | |
下降时间(tf) | 50ns | |
工作温度 | - | |
工作电压 | 10V~20V | |
拉电流(IOH) | 130mA | |
灌电流(IOL) | 270mA | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥18.82/个 |
10+ | ¥16.01/个 |
50+ | ¥14.33/个 |
100+ | ¥12.64/个 |
500+ | ¥11.86/个 |
1000+ | ¥11.51/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.1836
50 PCS/盘
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