反向传输电容(Crss):177pF,导通电阻(RDS(on)):210mΩ@1.5V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@3.8A,4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18.5nC@8V,栅极电荷量(Qg):11.5nC@8V,漏源电压(Vdss):20V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):787pF,输入电容(Ciss):576pF@10V,输出电容(Coss):203pF,连续漏极电流(Id):6.1A,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 177pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@1.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@3.8A,4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@8V | |
栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@8V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 787pF | |
输入电容(Ciss) | 576pF@10V | |
输出电容(Coss) | 203pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.825/个 |
50+ | ¥1.449/个 |
150+ | ¥1.288/个 |
500+ | ¥1.0866/个 |
3000+ | ¥0.997/个 |
6000+ | ¥0.943/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.91724
3000 PCS/盘
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