1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A实物图
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A缩略图
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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A

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品牌名称
DIODES(美台)
厂家型号
DMC1028UVT-7
商品编号
C2960343
商品封装
TSOT-26
商品毛重
0.00005千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):177pF,导通电阻(RDS(on)):210mΩ@1.5V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@3.8A,4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18.5nC@8V,栅极电荷量(Qg):11.5nC@8V,漏源电压(Vdss):20V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):787pF,输入电容(Ciss):576pF@10V,输出电容(Coss):203pF,连续漏极电流(Id):6.1A,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)177pF
导通电阻(RDS(on))210mΩ@1.5V
导通电阻(RDS(on))80mΩ@3.8A,4.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)18.5nC@8V
栅极电荷量(Qg)11.5nC@8V
漏源电压(Vdss)20V
漏源电压(Vdss)20V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)1.2W
输入电容(Ciss)787pF
输入电容(Ciss)576pF@10V
输出电容(Coss)203pF
连续漏极电流(Id)6.1A
连续漏极电流(Id)3.5A
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA

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3000+¥0.997/个
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整盘

单价

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