反向传输电容(Crss):105pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@4.5V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):630pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 105pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 630pF | |
输出电容(Coss) | 125pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.235/个 |
100+ | ¥0.187/个 |
300+ | ¥0.163/个 |
1000+ | ¥0.145/个 |
5000+ | ¥0.113/个 |
10000+ | ¥0.105/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.106
5000 PCS/盘
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