反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):54mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):823pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 823pF | |
| 输出电容(Coss) | 66pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.133/个 |
| 200+ | ¥0.103/个 |
| 600+ | ¥0.0864/个 |
| 3000+ | ¥0.0765/个 |
| 9000+ | ¥0.0679/个 |
| 21000+ | ¥0.0633/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07038
3000 PCS/盘
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