1个N沟道 耐压:650V 电流:58A实物图
1个N沟道 耐压:650V 电流:58A缩略图
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1个N沟道 耐压:650V 电流:58A

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品牌名称
ST(意法半导体)
厂家型号
STW69N65M5
商品编号
C2970250
商品封装
TO-247-3
商品毛重
0.009086千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):11pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):143nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):6420pF@100V,连续漏极电流(Id):58A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)11pF@100V
导通电阻(RDS(on))0.045Ω@10V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)143nC@10V
漏源电压(Vdss)650V
类型N沟道
耗散功率(Pd)330W
输入电容(Ciss)6420pF@100V
连续漏极电流(Id)58A
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA

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