反向传输电容(Crss):11pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):143nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):6420pF@100V,连续漏极电流(Id):58A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 330W | |
输入电容(Ciss) | 6420pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 58A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥57.134/个 |
10+ | ¥55.384/个 |
30+ | ¥55.384/个 |
100+ | ¥55.384/个 |
500+ | ¥55.384/个 |
1000+ | ¥55.384/个 |
整盘
单价
整盘单价¥55.384
30 PCS/盘