温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
N沟道,电流:6A,耐压:1050V
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW10N105K5
- 商品编号
- C2970264
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.006558千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1.3pF,导通电阻(RDS(on)):1.3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21.5nC@10V,漏源电压(Vdss):1050V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):545pF@100V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):5V@100uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1050V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥23/个 |
| 10+ | ¥22.45/个 |
| 30+ | ¥22.09/个 |
| 100+ | ¥21.72/个 |
| 500+ | ¥21.72/个 |
| 1000+ | ¥21.72/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥20.3228
30 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉53.016元
库存总量
25 PCS电话
顶部
元器件购物车