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碳化硅功率MOSFET 1200V 65A
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- SCT50N120
- 商品编号
- C2970314
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.00696千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):69mΩ,工作温度:-55℃~+200℃,栅极电荷量(Qg):122nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):318W,输入电容(Ciss):1900pF,输出电容(Coss):170pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 318W | |
| 输入电容(Ciss) | 1900pF | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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