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1个N沟道 耐压:900V 电流:8A
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW8N90K5
- 商品编号
- C2970702
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.006558千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.68Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):426pF,输出电容(Coss):41pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):5V@100uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 输入电容(Ciss) | 426pF | |
| 输出电容(Coss) | 41pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥21.578/个 |
| 10+ | ¥18.178/个 |
| 30+ | ¥15.0176/个 |
| 100+ | ¥14.794/个 |
| 500+ | ¥14.794/个 |
| 1000+ | ¥14.794/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥15.0176
30 PCS/盘
库存总量
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