反向传输电容(Crss):5.8pF,导通电阻(RDS(on)):0.095Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):71nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):3000pF,输出电容(Coss):74pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.095Ω@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 3000pF | |
| 输出电容(Coss) | 74pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥31.33/个 |
| 10+ | ¥30.64/个 |
| 30+ | ¥28.72/个 |
| 100+ | ¥28.26/个 |
| 500+ | ¥28.26/个 |
| 1000+ | ¥28.26/个 |
整盘
单价
整盘单价¥26.4224
50 PCS/盘
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