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IV1Q12750T3
扩展库- 品牌名称
- inventchip(瞻芯电子)
- 厂家型号
- IV1Q12750T3
- 商品编号
- C2979251
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0079千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):750mΩ,导通电阻(RDS(on)):750mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):15.8nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):78.4W,输入电容(Ciss):260pF,连续漏极电流(Id):6.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 78.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥33.13/个 |
| 10+ | ¥28.51/个 |
| 30+ | ¥23.62/个 |
| 90+ | ¥20.84/个 |
| 450+ | ¥19.56/个 |
| 900+ | ¥18.98/个 |
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