IV1Q12750T3实物图
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IV1Q12750T3

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品牌名称
inventchip(瞻芯电子)
厂家型号
IV1Q12750T3
商品编号
C2979251
商品封装
TO-247-3
商品毛重
0.0079千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):750mΩ,导通电阻(RDS(on)):750mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):15.8nC,栅极电荷量(Qg):15.8nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):78.4W,输入电容(Ciss):260pF,输出电容(Coss):15pF,连续漏极电流(Id):6.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.3V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)2.6pF
导通电阻(RDS(on))750mΩ
导通电阻(RDS(on))750mΩ@20V
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)15.8nC
栅极电荷量(Qg)15.8nC
漏源电压(Vdss)1200V
类型1个N沟道
耗散功率(Pd)78.4W
输入电容(Ciss)260pF
输出电容(Coss)15pF
连续漏极电流(Id)6.8A
配置-
阈值电压(Vgs(th))4.3V

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