反向传输电容(Crss):3.5pF,导通电阻(RDS(on)):1.3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):32W,输入电容(Ciss):497pF,输出电容(Coss):27pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF | |
| 输出电容(Coss) | 27pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.869/个 |
| 50+ | ¥1.466/个 |
| 150+ | ¥1.293/个 |
| 500+ | ¥1.0777/个 |
| 2500+ | ¥0.982/个 |
| 5000+ | ¥0.924/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.34872
50 PCS/盘
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