上升时间(tr):100ns,下降时间(tf):60ns,工作温度:-45℃~+125℃,工作电压:8V~13V,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 100ns | |
下降时间(tf) | 60ns | |
工作温度 | -45℃~+125℃ | |
工作电压 | 8V~13V | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.249/个 |
50+ | ¥1.75/个 |
150+ | ¥1.536/个 |
500+ | ¥1.269/个 |
2500+ | ¥1.15/个 |
4000+ | ¥1.0791/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0494
4000 PCS/盘
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