下降时间(tf):200ns,工作温度:-45℃~+125℃,工作电压:11V~30V,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
下降时间(tf) | 200ns | |
工作温度 | -45℃~+125℃ | |
工作电压 | 11V~30V | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.348/个 |
50+ | ¥1.0539/个 |
150+ | ¥0.928/个 |
500+ | ¥0.771/个 |
2500+ | ¥0.631/个 |
4000+ | ¥0.589/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.572
4000 PCS/盘
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