射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):2MHz,直流电流增益(hFE):20@4A,4V,耗散功率(Pd):1.25W,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):8V@10A,3.3A,集电极截止电流(Icbo):0.02mA,集电极电流(Ic):10A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 2MHz | |
直流电流增益(hFE) | 20@4A,4V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 8V@10A,3.3A | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.02mA | |
集电极电流(Ic) | 10A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.193/个 |
50+ | ¥1.714/个 |
150+ | ¥1.509/个 |
500+ | ¥1.253/个 |
2500+ | ¥1.139/个 |
5000+ | ¥1.0705/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.04788
2500 PCS/盘
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