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1200V SiC Trench MOSFET
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW120R220M1HXKSA1
- 商品编号
- C2997930
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0061千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):220mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):8.5nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):289pF,输出电容(Coss):16pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
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